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宽禁带半导体材料教育部重点实验室迎接教育部专家组现场考察
作者:[] 文章来源:[] 发布时间:[2017-11-09] 阅读次数:[1730]

    (通讯员:梁佳博)2017年11月4日,宽禁带半导体材料教育部重点实验室迎来教育部专家组的现场考察。专家组听取了实验室主任杨银堂教授和科研院石光明院长的汇报,并对实验室超净工艺研发线、科研场所、创新氛围等进行了现场考察。


    本次评估由教育部科技司统一组织,对信息领域教育部重点实验室2012-2016五年内建设工作进行综合评价。4日上午8时,现场考察评估会在东大楼321B会议室隆重召开,教育部科技发展中心许银生老师介绍了本次现场考察评估的背景、要求和规则,随后专家组先后听取了重点实验室主任杨银堂教授和我校科研院石光明院长关于评估期内的汇报,汇报结束后专家组从实验室的管理、开放、运行及依托单位的支持等方面进行了问询。

    报告结束后,实验室主任杨银堂教授带领专家组对实验室的办公场地、科研氛围、超净工艺线、科研教学融合实验室等进行了实地考察,随后专家组与相关师生代表进行了专门交流。

    专家组充分肯定了实验室过去五年的建设成果,尤其是科研和教学成果、人才队伍建设、对宽禁带半导体研究领域国家重大需求的贡献、超净工艺线的运行管理等方面,同时,专家组也对实验室下一步的发展建设提出了建议。
    副校长郝跃院士、微电子学院与科研院相关领导出席了本次考察会。
    实验室简介:
    宽禁带半导体材料教育部重点实验室获批成立于2004年,实验室在2011年第一次参加评估,获得“优秀”。实验室主任由杨银堂教授担任,学术委员会主任由郝跃院士担任,实验室主要从事宽禁带半导体材料生长方法与技术、器件与应用以及新型半导体器件与集成电路技术等领域的研究,多项成果达到国际先进、国内领先水平。在本评估期内取得了国家科技进步奖二等奖2项,陕西省科学技术一等奖4项,国家级教学成果奖二等奖1项,陕西省教学成果奖特等奖1项;评估期内共发表SCI和EI论文430余篇,授权发明专利近300项,其中美国发明专利2项;实验室目前有固定人员64人,其中院士1人、长江学者1人、千人计划2人、杰青2人、优青2人、新世纪优秀人才4人、青千1人。经过多年的建设与发展,实验室在北校区东大楼一楼改造出一条面积1076平米的科研超净工艺线,有力的支持了实验室的科研项目顺利开展。
    重点实验室已成为我国最为重要的宽禁带半导体专门研究机构,特色鲜明,成果突出,对宽禁带半导体技术发展起到了开拓和引领作用。

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