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科研生产环境与设备

   目前拥有一套完整的宽禁带材料生长和器件研制的工艺设备和环境,400平方米以上面积的超净实验室环境3套和完整的测试分析设备。

    1000级微电子超净工艺实验室超净间,连同材料生长、器件制作和相关表征设备,形成了一条完整的化合物半导体材料和器件工艺线。

 
                超净实验室                             GaN/SiC材料生长设备

                  MOCVD-320 (3片2英寸)      世界最先进的碳化硅外延生长设备-EPIGRESS公司

    GaN材料生长设备(自主知识产权研制,国内首台) 6片热璧式低压SiC外延系统

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