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中科院微电子所刘新宇研究员应邀来访作学术报告
作者:[] 文章来源:[通讯员] 发布时间:[2017-12-28] 阅读次数:[1387]

通讯员:恩临 梁佳博)2017年12月22日上午,应重点实验室张进成教授邀请,中国科学院微电子所刘新宇研究员为重点实验室师生作了题为“Si基GaN功率电子器件研发与产业化技术”的学术报告,报告会由马晓华教授主持。

报告会上,刘新宇研究员先简要介绍了功率电子器件的应用前景,阐述了GaN作为宽禁带半导体代表性材料用于研制功率电子器件的性能优势,随后着重分析了SiGaN功率电子器件研究面临的挑战和技术难题。最后刘新宇研究员同重点实验室师生深入交流了中科院微电子所目前在SiGaN功率电子器件方面取得的研发成果与产业化进展情况,还热情地回答了师生们提出的热点话题。


      刘新宇研究员个人简介:

      生于1973年10月,现任中国科学院微电子所副所长,微电子专业博士,研究员,博士生导师。

      曾任中国科学院微电子研究所所长助理、微波器件与集成电路研究室(四室)主任,20115月任中国科学院微电子研究所副所长。还担任中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室副主任,电子学会青年工作委员会委员,是国家“核高基”重大专项“十二五”编写组专家。主要研究领域包括:(1)III-V族化合物(GaAsInPGaN)半导体器件和电路工艺;(2)微波MMIC设计和研制;(3)微波功率模块研究。


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